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EPC2001C

更新时间:2025-05-22 23:57:25

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EPC2001C 概述

EPC2001C是宜普电源转换公司生产的增强型氮化镓场效应晶体管。这款器件采用芯片级封装，具有极低的导通电阻和栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色。其耐压为100V，适用于高效功率转换系统如DC-DC转换器、无线充电设备以及同步整流电路等场景。在DC-DC转换器应用中，建议结合合适的驱动器使用以确保最佳性能，注意合理布局走线来降低寄生电感影响。由于其快速的开关速度，在设计时需考虑适当的散热措施并避免EMI问题。

EPC2001C 规格参数

现有数量
109,397现货
系列
eGaN?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
9 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具

芯知识

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