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EPC2053

更新时间:2025-05-28 19:39:51

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EPC2053 概述

EPC2053是Efficient Power Conversion (EPC)公司推出的一款增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。它采用超小型芯片级封装，具有极低的导通电阻和栅极电荷，使得开关速度非常快，适用于高频应用。其典型导通电阻为4 mΩ，最大漏源电压为100 V。该产品广泛应用于高效电源转换领域，如DC-DC转换器、同步整流、无线充电发射端等。在服务器电源和电信设备中，EPC2053能够显著提高能效并减少散热需求。由于其快速变换器设计中可以减小磁性元件尺寸，从而实现更紧凑的设计方案。使用时需要注意驱动电路的设计，推荐采用专门针对GaN器件优化的高速栅极驱动器以充分发挥其性能。同时，PCB布局应尽量减小寄生电感以避免振荡。在实际电路设计中，可参考EPC提供的参考设计进行优化配置。

EPC2053 规格参数

现有数量
31现货
系列
eGaN?
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
14.8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1895 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具

芯知识

2.1万

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