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EPC2102

更新时间:2025-06-14 08:37:58
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FB2012-07N2R4CT/LFPCM1770PWRSP232ECNBC859CTPS62590DRVRAO4406ACPM-5005-TR1TLE4263-2ES
EPC2102 规格参数
  • 现有数量
    2,401现货
  • 系列
    eGaN?
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    GaNFET（氮化镓）
  • 配置
    2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    23A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4.4 毫欧 @ 20A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6.8nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    830pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
    -
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    模具
  • 供应商器件封装
    模具
芯知识
2.1万
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广东微尔科技有限公司
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