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ES1DL RVG

更新时间:2025-06-14 21:21:52
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ES1DL RVG 规格参数
  • 品牌：Taiwan Semiconductor Corporation
  • 描述：DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
  • 包装：1/剪切带（CT）
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：200V
  • 电流 - 平均整流（Io）：1A
  • 不同 If 时的电压 - 正向（Vf：950mV @ 1A
  • 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间（trr）：35ns
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：5μA @ 200V
  • 不同?Vr，F 时的电容：10pF @ 4V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：DO-219AB
  • 供应商器件封装：Sub SMA
  • 工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
ES1DL RVG推荐型号
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