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ESHS-C085DR

更新时间:2025-06-14 08:34:49

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ESHS-C085DR 概述

ESHS-C085DR是来自EPC（Efficient Power Conversion Corporation）的一款增强型功率晶体管，基于氮化镓（GaN）技术。这款器件具有非常低的导通电阻和栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色。其最大漏源电压为80V，适用于高效电源转换器、同步整流以及无线充电等场合。由于其优越的开关特性，ESHS-C085DR常用于需要高效率和紧凑设计的应用中，比如服务器电源、适配器和快速充电设备。在实际电路设计时，应特别注意布局以减少寄生电感，提高整体性能。此外，在驱动该器件时，推荐使用专为GaN器件优化的栅极驱动器，以确保可靠性和最佳性能。对于初次使用的工程师来说，参考官方提供的评估板和应用笔记将有助于快速上手并避免常见错误。

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