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FAM65HR51DS2

更新时间:2025-06-22 09:48:08
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FAM65HR51DS2 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • IGBT 类型
    -
  • 配置
    半桥逆变器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    33 A
  • 功率 - 最大值
    135 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    -
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    -
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)
    4.86 nF @ 400 V
  • 输入
    标准
  • NTC 热敏电阻
    无
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    -
  • 供应商器件封装
    -
芯知识
3.3万
视频广告链接全球，智造未来：苏州固锝以创新矩阵亮相国际高端产业舞台
苏州固锝电子股份有限公司
FAM65HR51DS2推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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