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FCD380N60E

更新时间:2025-06-05 05:59:30

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市四雄微电子有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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FCD380N60E 概述

FCD380N60E是由Fairchild Semiconductor（已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为600V，适合中高压应用场合。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、电机驱动、开关模式电源(SMPS)等电力电子系统中作为功率开关使用。在实际应用中，需注意其栅极驱动电压应保持在规定范围内以确保可靠工作，并且在设计PCB布局时尽量减小寄生电感以优化开关性能。对于高可靠性要求的应用，建议进行充分的热设计评估。

FCD380N60E 规格参数

现有数量
0现货
系列
SuperFET? II
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
106W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

2.6万

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广东微尔科技有限公司

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