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FCH077N65F-F085

更新时间:2025-06-09 11:19:38
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FCH077N65F-F085 规格参数
  • 品牌：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 54A TO247
  • 包装：450/管件
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：54A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：77 毫欧 @ 27A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：164nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7162pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：481W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247-3
  • 封装/外壳：TO-247-3
芯产品
1.3万
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广东微尔科技有限公司
FCH077N65F-F085推荐型号
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