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FCP380N60

更新时间:2025-05-20 18:25:51

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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FAIRCHILD
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市博信盛科技有限公司
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原装现货报价当天为准

深圳市泰佳兴电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市铭科微电子有限公司
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深圳市正川电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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TO220/24+
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深圳市中天半导体有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务

深圳市金嘉锐电子有限公司
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15600
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深圳市科芯源微电子有限公司
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65286
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全新原装现货，长期供应，免费送样

深圳市优尚半导体科技有限公司
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斯耐尔（深圳）科技有限责任公
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市博伟奇电子有限公司
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一级代理
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深圳市讯运电子有限公司
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ORSEMI/安森美
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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FCP380N60

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

封装:TO-220-3

FCP380N60 概述

FCP380N60是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于中大功率应用。其最大漏极电流可达150A，耐压值为600V，适合于需要高效电力转换的场合。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、开关模式电源（SMPS）以及工业自动化设备中的功率转换电路。在实际应用中，建议根据具体电路需求选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度，同时注意散热设计以确保器件稳定运行。若用于高频电路，需特别关注寄生电感的影响，可通过合理布局减少干扰。

FCP380N60 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
superfetII™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1665pF @ 25V
功率 - 最大
106W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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