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FCP380N60E

更新时间:2025-05-20 18:25:56

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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
1200
FAIRCHILD
TO220/11+
原装现货支持实单

深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市佳丽达电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市威雅利发展有限公司
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海芯未来半导体电子（深圳）有
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深圳市华斯顿科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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中科航电（深圳）电子集团有限
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一手渠道假一罚十原包装常备现货林R Q2280193667

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市莱克讯科技有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市煜升源电子有限公司
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深圳市群川盛达电子有限公司
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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ONSEMI 安森美
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订货、调货

安富微（深圳）商贸有限公司
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深圳市品优时代科技有限公司
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原装、现货

深圳市广弘电子有限公司
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很累吗会过去的

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市锦泰世纪电子有限公司
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FCP380N60E

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

封装:TO-220-3

FCP380N60E 概述

FCP380N60E是安森美半导体生产的一款N沟道MOSFET。它采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流能力的特点，适用于多种电源管理应用。该MOSFET在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场合中表现出色。其低栅极电荷使得它在高频开关应用中能够实现高效能。在实际应用中，为了确保最佳性能，需注意选择合适的栅极驱动电压，通常建议使用10V以获得最低的导通电阻。设计电路时，推荐并联一个栅极电阻来抑制振荡，并且在源极与栅极之间连接一个反向二极管以保护MOSFET免受静电损坏。对于电源转换电路，合理布局PCB走线，减少寄生电感对开关性能的影响。

FCP380N60E 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperFETII®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫欧 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1770pF @ 25V
功率 - 最大
106W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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