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FDMS86200

更新时间:2025-12-22 06:48:17
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FDMS86200外观图

FDMS86200

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 150V POWER56

  • 封装:8-PQFN，Power56
FDMS86200 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    9.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    18 毫欧 @ 9.6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2715pF @ 75V
  • 功率 - 最大
    2.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PQFN，Power56
  • 供应商设备封装
    Power56
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDMS86200TR
FDMS86200 Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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