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FDN3401

更新时间:2025-06-13 20:20:14

供应商
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服务标识
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说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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FDN3401 概述

FDN3401是ON Semiconductor生产的一款P沟道增强型MOSFET。它采用超小尺寸的TSOP-6封装，适合在空间受限的应用中使用。其最大漏源电压为-20V，连续漏极电流可达-3.1A（在25°C条件下），具有低导通电阻特性。该款MOSFET适用于电池供电设备、便携式设备以及负载切换电路等应用场合。例如，在智能手机和平板电脑中可用于电源管理模块中的负载开关；在小型手持式设备里可以作为电池充电控制电路的功率管。在实际应用时应注意避免超出其额定电压和电流范围，并且要保证良好的散热条件以防止过热损坏。对于高速开关应用，还需要考虑其栅极电荷等因素进行适当的设计。

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