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FDN352AP

更新时间:2025-06-05 19:14:29

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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进口原装现货

深圳市创科洋电子有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳市德江源电子有限公司
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南方芯时代（深圳）科技有限公
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ON(安森美)
NA/23+
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深圳市先杰世纪科技有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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FDN352AP

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

FDN352AP 概述

FDN352AP是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电池供电设备等便携式应用。其最大漏源电压为-20V，连续漏极电流在室温下为-3.1A，适用于负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等场景。由于其紧凑的封装形式（SOT-23），非常适合空间受限的应用场合。在实际应用中，FDN352AP可以用于控制电路中的电源通断，在电池供电的手持设备中作为负载开关来延长电池使用寿命。设计时应注意栅极驱动电压的选择，以确保MOSFET充分开启。例如，在典型应用中，可以通过微控制器输出3.3V信号直接驱动栅极，从而实现对负载的有效控制。

FDN352AP 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 15V
功率 - 最大
460mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
3-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDN352AP-ND

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