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FDN360N

更新时间:2025-06-08 02:53:30

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FDN360N 概述

FDN360N是On Semiconductor生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用超紧凑的SOT-23封装，适合空间受限的应用场景。其设计旨在提供低导通电阻和高开关速度，适用于电池供电设备、负载开关及DC-DC转换器等应用。在便携式电子设备中，如智能手机和平板电脑，FDN360N常被用作电源管理电路中的低压侧开关。由于其栅极电荷较低，可以实现快速开关，减少功率损耗。此外，该MOSFET也可用于LED驱动器和电机控制电路中，以提高效率并减小PCB占位面积。使用时需注意最大漏源电压（VDS）为20V，连续漏极电流（ID）在25°C时为2.1A。应确保工作条件不超过绝对最大额定值，避免损坏器件。在PCB布局时，尽量缩短源极和栅极走线长度，以减少寄生电感对开关性能的影响。对于高频应用，建议添加适当的RC缓冲电路以抑制振铃现象。

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