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FDP020N06BH

更新时间:2025-05-20 02:25:15

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深圳市芯国创科技有限公司
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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FDP020N06BH 概述

FDP020N06BH是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为1.9mΩ（VGS = 10V时），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。它专为高效直流-直流转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效率和高性能开关应用而设计。其最大漏源电压VDS为60V，连续漏极电流ID可达240A，适合处理大功率需求。在实际应用中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保快速开关并减少开关损耗。由于其低栅极电荷特性，在设计时需注意PCB布局以最小化寄生电感，防止振荡。通常用于同步整流拓扑结构中，与控制IC配合可实现高效能量转换。

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广东微尔科技有限公司

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