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FDPF10N50CT

更新时间:2025-06-14 04:49:26

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FDPF10N50CT 概述

FDPF10N50CT是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道MOSFET。该器件设计用于高效功率管理应用，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）可达10A，在高温环境下仍能保持稳定性能。此款MOSFET适用于多种电源转换设备，如不间断电源（UPS）、电机驱动、开关模式电源（SMPS）以及照明控制系统等。在实际应用中，建议在电路设计时考虑适当的散热措施以确保最佳性能。对于高频开关应用，需注意栅极电阻的选择来优化开关速度与EMI之间的平衡。典型应用电路包括反激式变换器和半桥拓扑结构，使用时应参考具体设计指南确保安全工作区（SOA）不被超出。

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