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FDS2670

更新时间:2025-07-03 17:48:19
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FDS2670外观图

FDS2670

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 200V 3A SO-8

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
FDS2670 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    130 毫欧 @ 3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1228pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    SO-8
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDS2670-NDFDS2670TR
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