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FDS6679AZ

更新时间:2025-06-19 15:42:13

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市高胜电子有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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SOIC/20+
进口原装现货

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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威锐国际有限公司
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深圳市言信微科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市博伟奇电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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深圳市创德丰电子有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市鹏先达电子有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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FAIRCHILD/仙童
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
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原装，一站式BOM表配单

香港晨兴安富利电子有限公司
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一级代理，原装现货，价格超低

深圳市力拓辉电子有限公司
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ON SEMICONDUCTOR
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分货原装鄙视假货

深圳市新亿利电子有限公司
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Fairchild(飞兆/仙童)
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上海熠富电子科技有限公司
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SOP8/2024
原装现货上海库存，欢迎咨询

深圳市凯斯宇科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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FDS6679AZ

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS6679AZ 概述

FDS6679AZ是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理应用。其典型应用场景包括负载开关、电源管理以及电池供电设备中的高效能量转换电路。在便携式电子设备中，如智能手机和平板电脑，它常被用来控制电源路径，确保设备在不同工作模式下能有效管理能耗。使用时应注意其最大电压和电流限制，避免超出额定值以防止损坏。设计电路时，推荐查阅最新版数据手册来确定正确的栅极驱动电压和散热要求。

FDS6679AZ 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
13A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.3 毫欧 @ 13A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
96nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3845pF @ 15V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS6679AZTR

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