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FDS8880

更新时间:2025-07-03 10:36:57

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FDS8880

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS8880 概述

FDS8880是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效电源管理应用。典型应用场景包括直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的电源管理电路。其低栅极电荷使得它在高频开关应用中表现出色，能够减少开关损耗并提高整体效率。在实际应用中，建议在栅极串联一个适当的小电阻来抑制振铃现象，并确保栅极驱动电压稳定以避免误触发。设计时应注意散热设计，因为高效的热管理可以显著提升器件的可靠性和寿命。

FDS8880 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫欧 @ 11.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1235pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS8880-ND

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