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FDS89161

更新时间:2025-05-25 15:39:51

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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市华睿芯科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市奥利腾科技有限公司
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TO263(D2PAK)/22+
奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

绿盛电子(香港)有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

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FCS
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深圳市思跃电子有限公司
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深圳市万佳电子贸易有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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FDS89161

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS89161 概述

FDS89161是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效的电源管理应用。其最大漏极-源极电压为30V，适合于低压电路设计。典型应用场景包括负载开关、电池充电器以及DC-DC转换器等便携式设备中。在实际应用中，FDS89161常用于需要高效能和紧凑设计的场合。例如，在手持设备的电源管理系统中，它能够有效降低功耗并提高整体效率。使用时应注意确保栅极驱动电压足够以保证MOSFET处于完全导通状态，并且要考虑到散热管理以避免过热损坏。对于初学者而言，建议仔细阅读数据手册中的电气特性部分，以便正确选择外部元件参数如栅极电阻等。

FDS89161 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫欧 @ 2.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
210pF @ 50V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS89161TR

芯知识

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