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FDS8935

更新时间:2025-05-16 01:14:00

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市集好芯城科技有限公司
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深圳市德江源电子有限公司
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FDS8935外观图

FDS8935

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS8935 概述

FDS8935是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET，采用Dual N-Channel配置。该器件专为低压应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为30V，适合于高效功率转换和管理电路中。典型应用场景包括同步整流、DC-DC转换器、负载切换以及便携式设备中的电源管理模块。在实际应用中，FDS8935因其低Rds(on)值而有助于减少功耗，提高系统效率。设计时应注意确保栅极驱动电压足够高以完全开启MOSFET，并且要考虑适当的散热措施，特别是在大电流操作条件下。对于DC-DC转换器的设计，可以将其作为同步整流管使用，与控制IC配合实现高效能量转换。注意检查电路布局，避免寄生电感影响开关性能。

FDS8935 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 P 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
183 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
879pF @ 40V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOIC
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS8935-NDFDS8935TR

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