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FDS8949

更新时间:2025-06-18 18:59:16

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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ONSemi/安森美
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深圳市硅宇电子有限公司
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深圳市创科洋电子有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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优势
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市鸿博高科电子有限公司
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深圳市蓝山航业科技有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市宏创兴泰电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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原装库存，提供优质服务

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现代芯城（深圳）科技有限公司
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61000
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
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只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市捷立辉科技有限公司
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FDS8949

Fairchild Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

FDS8949 概述

F949是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用Power56封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效功率转换的应用场合。其典型应用包括直流-直流转换器、负载点(POL)稳压器以及电池供电设备中的电源管理电路。在设计中使用FDS8949时，应注意其最大漏源电压(VDS)为30V，连续漏极电流(ID)在25°C时可达12A。由于其具备低栅极电荷(Qg)，可以实现高频操作且功耗较低。为了确保最佳性能，建议遵循制造商提供的散热设计指南，并在PCB布局时优化源极与漏极之间的走线以减少寄生电感。对于同步整流等应用场景，需特别注意MOSFET的驱动要求，保证栅极信号质量良好，防止误触发。

FDS8949 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道（双）
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
29 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
955pF @ 20V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDS8949TR

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