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FGAF20N60SMD

更新时间:2025-05-25 00:05:37

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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FGAF20N60SMD 概述

FGAF20N60SMD是由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达20A，在高温环境下仍能保持良好的电气性能。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及各种工业电源系统。在实际电路设计中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保可靠的开关操作，并注意PCB布局以优化散热性能。对于高可靠性要求的应用，应仔细评估工作条件下的热阻和功率损耗，以避免过热损坏。此外，选择合适的栅极电阻值可以有效控制开关速度并减少EMI干扰。

FGAF20N60SMD 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
1.7V @ 15V，20A
功率 - 最大值
75 W
开关能量
452μJ（开），141μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
64 nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/91ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
26.7 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3 整包
供应商器件封装
TO-3PF

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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