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FGW30N60VD

更新时间:2025-06-21 00:39:50

供应商
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询价

深圳市芯国创科技有限公司
FGW30N60VD
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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昆山隆诚翔电子有限公司
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上海凯昂电子技术有限公司
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深圳市天芯半导体科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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上海方整科技有限公司
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上海信和达电子科技有限公司
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FGW30N60VD 概述

FGW30N60VD是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件专为高压应用设计，具有600V的漏源电压（Vds）和高达30A的连续漏极电流（Id）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。此款MOSFET适用于开关电源、不间断电源（UPS）、直流-直流转换器等高频开关应用。它还常用于电机驱动器、逆变器及各类工业控制设备中。由于其快速开关特性和高可靠性，也广泛应用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器等领域。在实际应用中，建议使用适当的栅极驱动电路以确保可靠开启和关闭MOSFET。注意保持良好的散热设计，因为不当的热管理可能导致器件过热损坏。对于高频应用，需关注PCB布局以减小寄生电感和电容的影响。

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广东微尔科技有限公司

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