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FHB1132R

更新时间:2025-06-15 15:11:12

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FHB1132R 概述

FHB1132R是ON Semiconductor生产的一款高性能N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源转换应用。其优化的栅极电荷使得在高频开关应用中能显著降低驱动损耗，提升整体系统效率。典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和适配器等便携式设备。由于其卓越的热性能和电气特性，在工业控制、消费电子领域也有广泛应用。设计时需注意栅极电压应在规定范围内，确保充分开启与关闭，避免因过压损伤栅氧层。建议在栅极串联小电阻以抑制振铃现象，提升EMI性能。

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