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FHF7N60A

更新时间:2025-05-17 07:49:43

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FHF7N60A 概述

FHF7N60A是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压Vds为600V，适用于高电压应用环境。典型应用场景包括开关电源、不间断电源(UPS)、电机驱动以及照明系统中的电子镇流器等。在实际应用中，使用FHF7N60A时需注意其散热设计，确保工作温度不超过额定值以保障长期可靠性。推荐在其源极与栅极之间并联一个电阻电容串联网络（RC吸收电路），以抑制寄生振荡，保护MOSFET免受损坏。此外，在驱动电路设计上，应提供足够的栅极驱动电流来保证MOSFET能够迅速开启和关闭，减少开关损耗。

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