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FJP2145

更新时间:2025-06-11 12:45:27

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FJP2145 概述

FJP2145是Fairchild Semiconductor生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用SOT-223封装，具有低导通电阻特性，适用于多种电源管理应用。其最大漏极-源极电压为-20V，在栅极驱动电压为-4.5V时，最大连续漏极电流可达-3.6A。这款MOSFET常用于便携式设备、电源管理和负载切换电路中。例如，在手机和平板电脑等便携式设备的电源管理系统里，FJP2145可以作为高效开关来控制电源路径或者实现电池充放电管理。在使用过程中需要注意散热设计，避免因过热导致性能下降或损坏。由于其小尺寸封装特点，适合空间受限的应用场景，并且易于焊接和集成到现代电子产品中。

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