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FMA07N50E

更新时间:2025-06-13 07:45:34

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FMA07N50E 概述

FMA07N50E是由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于高电压和大电流的应用场景。其最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）可达7A，具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。这款MOSFET常用于电源管理、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动和照明控制等应用中。在实际应用时，应注意栅极驱动电路的设计，确保有足够的驱动电压来完全开启MOSFET，避免因驱动不足导致的发热问题。对于高频开关应用，建议仔细选择栅极电阻值以优化开关速度和EMI性能。此外，在PCB布局设计中应尽量减小源极电感，以降低开关噪声对电路的影响。

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