FMR17N60ES

更新时间:2025-06-11 06:10:00

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FMR17N60ES 概述

17N60ES是由Fairchild Semiconductor（已被ON Semiconductor收购）生产的高性能MOSFET。该器件采用N沟道设计，具有600V的漏源电压（VDSS）和高达17A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，在高效率电源转换应用中表现出色。典型应用场景包括开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动和DC-DC转换器等。在这些应用中，FMR17N60ES能提供可靠的开关性能，并且具有快速的开关速度和低栅极电荷（Qg），使得电路能够高效运行并减少发热。对于电路设计者来说，使用此MOSFET时需注意适当的散热措施以确保长期稳定工作。建议在PCB布局时优化走线宽度，以降低寄生电感对开关性能的影响。

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