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FP15R12W1T4

更新时间:2025-05-16 10:34:47
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • FP15R12W1T4

  • 优势

  • 1102

  • Infineon/英飞凌

  • MODULE/24+

  • 全新原装原盒原标、实物实拍、优势库存、价格优惠、

您是不是要找：FP15R12W1T3 FP15R12NT3 FP15R12KT3 FP15R12KS4C FP15R12KE3G FP15R12KE3 FP15R06YE3_B4 FP15R06YE3 FP15R06WE3 FP15R06W1E3 FP15R12W1T4-B3
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FP15R12W1T4 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    1200 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    28 A
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    EASY1B
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    Screw
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