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FQD4P25TM_WS

更新时间:2025-05-21 10:30:08

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FQD4P25TM_WS

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

FQD4P25TM_WS 概述

FQD4P25TM_WS是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压为-25V，适用于中低压应用环境。典型应用场景包括负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等便携式电子设备中。在电路设计中，建议关注栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时注意散热设计避免过热损坏。由于其封装形式较为紧凑，在PCB布局时要合理安排引脚走线以减少寄生电感影响开关性能。

FQD4P25TM_WS 规格参数

标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.1 欧姆 @ 1.55A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
420pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)

芯知识

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苏州固锝电子股份有限公司

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