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FQP10N50CF_08

更新时间:2025-06-18 05:24:56

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FQP10N50CF_08 概述

FQP10N50CF_08是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度特性。其最大漏极-源极电压（Vds）可达500V，连续漏极电流（Id）为10A，在栅极-源极电压为10V时导通电阻（Rds(on)）仅为0.37Ω。此款MOSFET适用于多种应用场合，如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及照明控制等需要高效功率管理的领域。在实际使用中，需确保散热设计合理以避免过热损坏。若用于高频电路，建议仔细考虑PCB布局以减小寄生电感影响，从而优化开关性能。在电路设计时，可参考制造商提供的典型应用电路进行栅极驱动电阻的选择与配置，保证可靠开启和关闭MOSFET。

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