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FTP08N60C

更新时间:2025-05-17 19:13:28

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FTP08N60C 概述

FTP08N60C是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的平面条纹技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达8A，适用于高电压、中等功率的应用场景。典型应用场景包括开关电源、交流-直流转换器、电机驱动以及照明系统中的镇流器等。在这些应用中，FTP08N60C能够有效降低功耗并提高效率。使用时应注意适当的栅极驱动设计以确保可靠开启和关闭MOSFET，同时考虑散热管理来维持器件的工作温度在安全范围内。对于需要高压侧开关的应用，推荐采用合适的隔离式栅极驱动电路。

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