FUS10N878A

更新时间:2025-06-12 23:58:13

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FUS10N878A 概述

FUS10N878A是飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用场合。其最大漏源电压（Vds）为800V，连续漏极电流（Id）可达10A，适合用于高电压、大电流的电力电子设备中。典型应用场景包括开关电源、不间断电源系统（UPS）、电机驱动器以及照明系统等需要高效能转换和控制的领域。在实际使用时，需注意适当的散热设计以确保稳定工作，并且在PCB布局上尽量缩短栅极引线长度以减少寄生电感影响。对于电路设计者而言，在选择合适的驱动电阻值时应充分考虑MOSFET的开关速度与功耗之间的平衡关系。

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