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FZ1200R33KF2

更新时间:2025-07-05 10:13:58
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FZ1200R33KF2 规格参数
  • 制造商
    Infineon
  • 产品
    IGBT Silicon Modules
  • 配置
    Triple Common Emitter Common Gate
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    3300 V
  • 集电极—射极饱和电压
    3.4 V
  • 在25 C的连续集电极电流
    2000 A
  • 栅极—射极漏泄电流
    400 nA
  • 功率耗散
    14.7 KW
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 封装 / 箱体
    IHM130
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 20 V
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 工厂包装数量
    2
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