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G16N03S

更新时间:2025-06-20 14:05:34

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
G16N03S
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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62000
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深圳市南科功率半导体有限公司
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NK/南科功率
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深圳市中元伟业电子商行
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98900
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G16N03S 规格参数

现有数量
4,000现货
系列
G
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
16.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！

广东微尔科技有限公司

G16N03S推荐型号

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