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G3S12010B

更新时间:2025-06-04 06:50:41
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G3S12010B 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    剪切带（CT）带盒（TB）
  • 产品状态
    在售
  • 二极管配置
    1 对共阴极
  • 技术
    SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
    39A（DC）
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
    1.7 V @ 5 A
  • 速度
    无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
    50 μA @ 1200 V
  • 工作温度 - 结
    -55°C ~ 175°C
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商器件封装
    TO-247AB
芯知识
2.6万
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广东微尔科技有限公司
G3S12010B推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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