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GD25B128ESIGR

更新时间:2025-05-24 05:35:58

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GD25B128ESIGR 概述

GD25B128ESIGR是兆易创新(GigaDevice)推出的一款高性能SPI NOR Flash存储器。该芯片采用USON8封装，具有128Mb（16MB）的存储容量，适用于需要高密度存储的应用场景。它支持标准的串行外设接口(SPI)，可实现高速读取操作，最高时钟频率可达133MHz，并且在双输出模式下数据传输速率进一步提升。此款Flash广泛应用于消费电子、工业控制、物联网设备等领域。例如，在嵌入式系统中可用于存储启动代码、固件及重要数据等。其工作电压范围为2.7V至3.6V，具备低功耗特性，适合电池供电设备使用。此外，它还具有优异的耐久性和数据保持能力，能够保证数据长期可靠地存储。在实际应用中应注意电源去耦以确保稳定工作，推荐在靠近Vcc引脚处放置0.1μF和10μF电容进行滤波。

GD25B128ESIGR 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
FLASH - NOR（SLC）
存储容量
128Mb
存储器组织
16M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O
时钟频率
133 MHz
写周期时间 - 字，页
70μs，2.4ms
访问时间
7 ns
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP

芯产品

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