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GP2M005A060PG

更新时间:2025-06-03 05:15:59
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GP2M005A060PG 规格参数
  • 品牌：SemiQ
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
  • 包装：7200/标准卷带
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 欧姆 @ 2.1A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：14nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：658pF @ 25V
  • 功率耗散（最大值）：98.4W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：I-PAK
  • 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
芯知识
2.2万
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广东微尔科技有限公司
GP2M005A060PG推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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