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H11N3

更新时间:2025-07-04 01:59:36
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H11N3 规格参数
  • 制造商
    Fairchild Semiconductor
  • 配置
    1 Channel
  • 最大波特率
    5 MBps
  • 最大正向二极管电压
    2 V
  • 最大反向二极管电压
    6 V
  • 最大功率耗散
    250 mW
  • 最大工作温度
    + 85 C
  • 最小工作温度
    - 40 C
  • 封装 / 箱体
    PDIP-6
  • 封装
    Bulk
  • 绝缘电压
    5300 Vrms
  • 最大连续输出电流
    50 mA
  • 最大下降时间
    12 ns
  • 最大正向二极管电流
    30 mA
  • 最大上升时间
    7.5 ns
  • 输出设备
    Logic Gate Photo IC
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