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IDH10G65C6XKSA1

更新时间:2025-06-14 23:20:01
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IDH10G65C6XKSA1 规格参数
  • 现有数量
    2,034现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
    650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)
    24A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
    1.35 V @ 10 A
  • 速度
    无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
    33 μA @ 420 V
  • 不同?Vr、F 时电容
    495pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-2
  • 供应商器件封装
    PG-TO220-2
  • 工作温度 - 结
    -55°C ~ 175°C
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广东微尔科技有限公司
IDH10G65C6XKSA1推荐型号
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