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IMH21T110

更新时间:2025-05-19 14:58:43
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IMH21T110外观图

IMH21T110

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA SMT6

  • 封装:SC-74，SOT-457
IMH21T110 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    20V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    820 @ 50mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    150mV @ 2.5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 频率 - 转换
    150MHz
  • 功率 - 最大
    300mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-74，SOT-457
  • 供应商设备封装
    SMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
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