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IMT18T110

更新时间:2025-05-18 00:09:11
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IMT18T110 规格参数
  • 制造商
    ROHM Semiconductor
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    12 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    6 V
  • 最大直流电集电极电流
    0.5 A
  • 配置
    Dual
  • 最大工作频率
    260 MHz
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    SMT
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    300 mW
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