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IMZA65R039M1HXKSA1

更新时间:2025-05-25 11:33:32
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IMZA65R039M1HXKSA1 规格参数
  • 现有数量
    205现货
  • 系列
    CoolSiC?
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    50A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    50 毫欧 @ 25A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    5.7V @ 7.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    41 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）
    +20V，-2V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1393 pF @ 400 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    176W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    PG-TO247-4-3
  • 封装/外壳
    TO-247-4
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苏州固锝电子股份有限公司
IMZA65R039M1HXKSA1推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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