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IPB123N10N3 G

更新时间:2025-05-20 19:30:06
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IPB123N10N3 G 规格参数
  • 数据列表
    IPB123N10N3 G
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    OptiMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    58A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    12.3 毫欧 @ 46A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.5V @ 46µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2500pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    94W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    PG-TO263-2
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPB123N10N3 G-NDIPB123N10N3 GTRSP000485968
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广东微尔科技有限公司
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