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IPB65R190C6

更新时间:2025-05-23 00:51:30
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IPB65R190C6 规格参数
  • 数据列表
    IPx65R190C6
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    CoolMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    190 毫欧 @ 7.3A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.5V @ 730µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    73nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1620pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    151W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装
    PG-TO263
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IPB65R190C6-NDIPB65R190C6ATMA1SP000863890
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