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IPG20N06S415ATMA1

更新时间:2025-10-24 19:48:44
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IPG20N06S415ATMA1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    Digi-Key 停止提供
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 配置
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    -
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    15.5 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2260pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    50W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
    PG-TDSON-8-4
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苏州固锝电子股份有限公司
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