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IPN50R650CEATMA1

更新时间:2025-07-06 03:03:17
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IPN50R650CEATMA1 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    CoolMOS? CE
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    不适用于新设计
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    9A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    13V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    650 毫欧 @ 1.8A，13V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    3.5V @ 150μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    342 pF @ 100 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    5W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PG-SOT223-3
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
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广东微尔科技有限公司
IPN50R650CEATMA1推荐型号

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