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IPN60R2K0PFD7SATMA1

更新时间:2025-05-16 17:09:34
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IPN60R2K0PFD7SATMA1 规格参数
  • 现有数量
    2,976现货
  • 系列
    CoolMOS?PFD7
  • 包装
    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    2 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.5V @ 30μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    3.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    134 pF @ 400 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    6W（Tc）
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PG-SOT223-3-1
  • 封装/外壳
    TO-261-3
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苏州固锝电子股份有限公司
IPN60R2K0PFD7SATMA1推荐型号

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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