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IPW65R041CFD

更新时间:2025-07-04 04:52:05
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IPW65R041CFD 规格参数
  • 数据列表
    IPW65R041CFD
  • 标准包装
    240
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    CoolMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    68.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    41 毫欧 @ 33.1A, 10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 3.3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    54nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    8400pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    500W
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
  • 其它名称
    IPW65R041CFDFKSA1
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